Los sistemas de comunicación por satélite emplean complejos esquemas de modulación para ofrecer las velocidades de datos increíblemente rápidas necesarias para producir vídeo y datos de banda ancha. Para lograr esto, deben ofrecer una alta potencia de salida de RF y al mismo tiempo garantizar que las señales conserven sus características deseadas. El nuevo amplificador de potencia GMICP2731-10 GaN MMIC anunciado por Microchip Tecnología ayuda a satisfacer ambas demandas.
El nuevo dispositivo, el primer GaN MMIC de la compañía, está diseñado para comunicaciones por satélite comerciales y de defensa, redes 5G y otros sistemas aeroespaciales y de defensa.
El dispositivo está fabricado con tecnología GaN-on-SiC. Produce hasta 10 W de potencia de salida de RF saturada en 3.5 GHz de ancho de banda entre 27.5 GHz y 31 GHz. Su eficiencia de potencia agregada es del 20%, con 22 dB de ganancia de señal pequeña y 15 dB de pérdida de retorno. Una arquitectura equilibrada permite que el dispositivo se adapte bien a 50 ohmios e incluye condensadores de bloqueo de CC integrados en la salida para simplificar la integración del diseño.
“Dado que los sistemas de comunicación emplean esquemas de modulación complejos como 128-QAM y que la potencia de los amplificadores de potencia de estado sólido tiende cada vez al alza, los diseñadores de amplificadores de potencia de RF tienen el difícil desafío de encontrar soluciones de mayor potencia y, al mismo tiempo, reducir el peso y el consumo de energía. ”, Dijo Leon Gross, vicepresidente de la unidad de negocios Discrete Products Group de Microchip. “Los MMIC de GaN utilizados en los SSPA de alta potencia pueden lograr una potencia y un peso inferiores en más de un 30% en comparación con sus homólogos de GaAs, lo que supone una gran ventaja para los fabricantes de equipos originales de satélites. Este producto cumple la promesa de GaN y permite el tamaño, el peso, la potencia y el costo que buscan los OEM ".