Les systèmes de communication par satellite utilisent des schémas de modulation complexes pour fournir les débits de données incroyablement rapides nécessaires à la production de données vidéo et haut débit. Pour y parvenir, ils doivent fournir une puissance de sortie RF élevée tout en garantissant que les signaux conservent leurs caractéristiques souhaitées. Le nouvel amplificateur de puissance GaN MMIC GMICP2731-10 annoncé par Microchip Technologie contribue à satisfaire ces deux exigences.
Le nouvel appareil, le premier MMIC GaN de la société, est destiné aux communications par satellite commerciales et de défense, aux réseaux 5G et à d'autres systèmes aérospatiaux et de défense.
Le dispositif est fabriqué à l'aide de la technologie GaN-on-SiC. Il produit jusqu'à 10 W de puissance de sortie RF saturée sur la bande passante de 3.5 GHz entre 27.5 GHz et 31 GHz. Son efficacité en puissance ajoutée est de 20 %, avec 22 dB de gain en petit signal et 15 dB de perte de retour. Une architecture équilibrée permet à l'appareil d'être bien adapté à 50 ohms et comprend des condensateurs de blocage CC intégrés à la sortie pour simplifier l'intégration de la conception.
« Comme les systèmes de communication utilisent des schémas de modulation complexes tels que 128-QAM et que la puissance des amplificateurs de puissance à semi-conducteurs ne cesse d'augmenter, les concepteurs d'amplificateurs de puissance RF ont le défi difficile de trouver des solutions de puissance plus élevée tout en réduisant le poids et la consommation », a déclaré Leon Gross, vice-président de l'unité commerciale Discrete Products Group de Microchip. « Les MMIC GaN utilisés dans les SSPA haute puissance peuvent atteindre une puissance et un poids inférieurs de plus de 30 % par rapport à leurs homologues GaAs, ce qui représente un gain énorme pour les fabricants de satellites. Ce produit tient la promesse du GaN et permet la taille, le poids, la puissance et le coût que les OEM recherchent. »