Utilizando la última herramienta de unión de chip giratorio NANO de ASM AMICRA, los diodos láser InP DFB se unieron a una oblea de fotónica de silicio de 300 mm con una precisión de alineación dentro de 500 nm, lo que permite un acoplamiento reproducible de más de 10 mW de potencia láser en las guías de onda de nitruro de silicio en la fotónica de silicio oblea.
Con el apoyo de sus socios, Imec ofrecerá este la tecnología más adelante en 2021 como un servicio de creación de prototipos, acelerando así la adopción de la fotónica de silicio en una amplia gama de aplicaciones, desde interconexiones ópticas, a través de LiDAR, hasta detección biomédica.
Hoy en día, muchos sistemas fotónicos de silicio todavía dependen de fuentes de luz externas, debido a la falta de fuentes de luz eficientes en el chip. El silicio en sí no emite luz de manera eficiente y, por lo tanto, las fuentes de luz hechas de semiconductores III-V, como el fosfuro de indio (InP) o el arseniuro de galio (GaAs), se implementan típicamente como componentes empaquetados por separado.
Sin embargo, estos láseres fuera del chip a menudo sufren mayores pérdidas de acoplamiento, una gran huella física y un alto costo de empaque.
Junto con sus socios Sivers y ASM AMICRA, Imec está ampliando sus servicios de creación de prototipos de fotónica de silicio para incluir la capacidad de integración de chip giratorio de alta precisión de láseres y amplificadores InP.
En la fase de desarrollo recientemente completada, los láseres InP DFB de banda C se alinearon pasivamente y se unieron con chip giratorio en obleas de fotónica de silicio de 300 mm con una precisión de alineación ultra alta dentro de 500 nm (valor de tres sigma), lo que dio como resultado una guía de onda reproducible en el chip potencia láser acoplada superior a 10 mW.
A lo largo de la segunda mitad de 2021, la cartera de integración híbrida se ampliará con reflectantes Semiconductores amplificadores ópticos (RSOA), que aprovechan la capacidad de facetas grabadas de la tecnología InP100 de Sivers y la precisión de alineación de unión superior de ASM AMICRA NANO.
Esta capacidad permitirá tipos avanzados de fuentes láser de cavidad externa, según sea necesario para las aplicaciones emergentes de interconexión óptica y detección, y estará disponible a principios de 2022.