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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Fabricante: IXYS
RoHS: Detalles
Estilo de montaje: Montaje en Panel
Paquete / Estuche: HOY-227-4
Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
serie: HiPerFET
Embalaje: Tubos
Configuración: Individual
Marca: IXYS
Número de canales: 1 Channel
Polaridad del transistor: Canal N
Otoño: 45 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 55 A
Pd - Disipación de energía: 625 W
Marca: Módulos de semiconductores discretos
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje: 90 mOhms
Hora de levantarse: 60 ns
Cantidad de paquete de fábrica: 10
Subcategoría: Módulos de semiconductores discretos
Nombre comercial: HiperFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 120 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 45 ns
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: 500 V
Módulos de semiconductores discretos 55 Amps 500V 0.08 Rds
Shunlongwei inspeccionó cada IXFN55N50 antes del envío, todos los IXFN55N50 con 6 meses de garantía.