IXYS IXFN55N50 En stock

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Courriel: sales@shunlongwei.com

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Fabricant: IXYS

Catégorie de produits: Être discret. Semi-conducteurs Modules

RoHS: Détails

Vgs - Porte-Source Tension: - 20 V, + 20 V

Style de montage: Montage sur châssis

Paquet / Cas: AUJOURD'HUI-227-4

Température minimale de fonctionnement: - 55 C

Température de fonctionnement maximale: + 150°C

Série: HiPerFET

Paquet: Tube Néon Del

Configuration: Simple

Technologie: Si

Marque: IXYS

Nombre de canaux: 1 Canal

Polarité du transistor: N-Channel

Temps d'automne: 45 ns

Id - Courant de vidange continu: A 55

Pd - Dissipation de puissance: 625 W

Type de produit: Modules semi-conducteurs discrets

Rds On - Résistance Drain-Source: 90 mOhms

Temps de montée: 60 ns

Quantité de paquet d'usine: 10

Sous-catégorie: Modules semi-conducteurs discrets

Nom commercial: HyperFET

Délai de mise hors tension typique: 120 ns

Délai de mise en marche typique: 45 ns

Vds - Tension de coupure drain-source: 500 V

Modules semi-conducteurs discrets 55 A 500 V 0.08 Rds

Shunlongwei inspecté chaque IXFN55N50 avant expédition, tous les IXFN55N50 avec une garantie de 6 mois.