#KRC826E KEC KRC826E Nuevo bipolar de pequeña señal Transistor, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 2 elementos, NPN, Silicon, TES6, 6 PIN, imágenes KRC826E, precio KRC826E, proveedor # KRC826E
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/krc826e.html
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Número de parte del fabricante: KRC826E
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante de Ihs: KEC CORP
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-F6
Recuento de pines: 6
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.75
Fabricante: KEC
Rango de riesgo: 5.77
Característica adicional: SESGO INTEGRADO Resistencia LA PROPORCIÓN ES 10
Coleccionista Corriente-Máx. (IC): 0.1 A
Colector-Emisor voltaje-Máx: 50 V
Configuración: SEPARADO, 2 ELEMENTOS CON RESISTENCIA INTEGRADA
Ganancia mínima de corriente CC (hFE): 80
Código JESD-30: R-PDSO-F6
Número de elementos: 2
Número de terminales: 6
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Polaridad / Tipo de canal: NPN
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: PISO
Posición terminal: DUAL
Aplicación del transistor: CONMUTACIÓN
Transistor Material del elemento: SILICIO
Frecuencia de transición nominal (fT): 200 MHz
Transistor bipolar de señal pequeña, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 2 elementos, NPN, silicio, TES6, 6 PIN
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante de Ihs: KEC CORP
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-F6
Recuento de pines: 6
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.75
Fabricante: KEC
Rango de riesgo: 5.77
Característica adicional: SESGO INTEGRADO Resistencia LA PROPORCIÓN ES 10
Coleccionista Corriente-Máx. (IC): 0.1 A
Colector-Emisor voltaje-Máx: 50 V
Configuración: SEPARADO, 2 ELEMENTOS CON RESISTENCIA INTEGRADA
Ganancia mínima de corriente CC (hFE): 80
Código JESD-30: R-PDSO-F6
Número de elementos: 2
Número de terminales: 6
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Polaridad / Tipo de canal: NPN
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: PISO
Posición terminal: DUAL
Aplicación del transistor: CONMUTACIÓN
Transistor Material del elemento: SILICIO
Frecuencia de transición nominal (fT): 200 MHz
Transistor bipolar de señal pequeña, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 2 elementos, NPN, silicio, TES6, 6 PIN