#KRC826E KEC KRC826E Nouveau Petit Signal Bipolaire Transistor, 0.1AI(C), 50V V(BR)CEO, 2 éléments, NPN, silicium, TES6, 6 broches, images KRC826E, prix KRC826E, fournisseur #KRC826E
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/krc826e.html
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Numéro de pièce du fabricant : KRC826E
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Ihs Fabricant: KEC CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-F6
Nombre de broches: 6
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.21.00.75
Fabricant : KEC
Classement de risque: 5.77
Fonctionnalité supplémentaire : BIAIS INTÉGRÉ Resistor LE RAPPORT EST DE 10
Collector Courant-Max (IC): 0.1 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 50 V
Configuration : SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS AVEC RÉSISTANCE INTÉGRÉE
Gain de courant CC-Min (hFE): 80
Code JESD-30 : R-PDSO-F6
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 6
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme du paquet : RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: NPN
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Forme du terminal : PLAT
Position terminale: DUAL
Application de transistor: COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Fréquence-Nom de transition (fT): 200 MHz
Transistor bipolaire à petit signal, 0.1AI(C), 50V V(BR)CEO, 2 éléments, NPN, silicium, TES6, 6 broches
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Ihs Fabricant: KEC CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-F6
Nombre de broches: 6
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.21.00.75
Fabricant : KEC
Classement de risque: 5.77
Fonctionnalité supplémentaire : BIAIS INTÉGRÉ Resistor LE RAPPORT EST DE 10
Collector Courant-Max (IC): 0.1 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 50 V
Configuration : SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS AVEC RÉSISTANCE INTÉGRÉE
Gain de courant CC-Min (hFE): 80
Code JESD-30 : R-PDSO-F6
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 6
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme du paquet : RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: NPN
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Forme du terminal : PLAT
Position terminale: DUAL
Application de transistor: COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Fréquence-Nom de transition (fT): 200 MHz
Transistor bipolaire à petit signal, 0.1AI(C), 50V V(BR)CEO, 2 éléments, NPN, silicium, TES6, 6 broches