KIOXIA presenta dispositivos de memoria flash incorporados UFS Ver 3.1

KIOXIA ha comenzado a probar su última generación de almacenamiento flash universal (UFS) de 256 y 512 gigabytes (GB) Ver. 3.1 dispositivos de memoria flash integrados.

Estos productos, alojados en paquetes de 0.8 y 1.0 mm de altura, han sido diseñados para mejorar el rendimiento en un 30% para lectura aleatoria y un 40% para escritura aleatoria, y ambos son más delgados y rápidos que sus predecesores. Los dispositivos KIOXIA UFS utilizan la memoria flash BiCS FLASH 3D de alto rendimiento más actual de la empresa y están destinados a una variedad de aplicaciones móviles.

El amplio conjunto de aplicaciones que utilizan memoria flash incorporada sigue necesitando un mayor rendimiento y densidad, y UFS se ha convertido para muchos en la solución preferida. Desde una perspectiva de GB total, UFS ahora representa la mayor parte de la demanda en relación con e-MMC.

Según Forward Insights, al combinar la demanda general de UFS y e-MMC GB en todo el mundo, casi el 70% de la demanda de este año es para UFS, y se espera que siga creciendo.

“Nuestros últimos dispositivos UFS amplían aún más los límites del rendimiento con características como Host Performance Booster, y se entregan en las soluciones de paquete delgado que exigen los teléfonos inteligentes de vanguardia y otras aplicaciones”, explicó Scott Beekman, director senior de productos de memoria flash administrada de KIOXIA America.

Los avances clave incluyen:

• Aumento del rendimiento del 30% para lectura aleatoria y del 40% para escritura aleatoria.
• Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0: mejora el rendimiento de lectura aleatoria al utilizar la memoria del lado del host para almacenar tablas de traducción lógica a física. Mientras que HPB Ver. 1.0 solo permite el acceso a un tamaño de fragmento de 4 kilobytes, HPB Ver. 2.0 permite un acceso más amplio, lo que puede mejorar aún más el rendimiento de lectura aleatoria.
• Paquete más delgado de 256 GB con solo 0.8 mm de altura.