KIOXIA ra mắt Thiết bị bộ nhớ flash nhúng UFS phiên bản 3.1

KIOXIA đã bắt đầu lấy mẫu thế hệ mới nhất của bộ nhớ lưu trữ Flash đa năng (UFS) 256 và 512 gigabyte (GB) Ver. 3.1 thiết bị bộ nhớ flash nhúng.

Được đặt trong các gói cao 0.8 và 1.0mm, các sản phẩm này đã được thiết kế để cải thiện hiệu suất lên 30% khi đọc ngẫu nhiên và 40% khi ghi ngẫu nhiên - và cả hai đều mỏng hơn và nhanh hơn so với các sản phẩm tiền nhiệm. Các thiết bị KIOXIA UFS sử dụng bộ nhớ flash BiCS FLASH 3D hiệu suất cao nhất hiện nay của công ty và đang được nhắm mục tiêu vào nhiều ứng dụng di động.

Một loạt các ứng dụng sử dụng bộ nhớ flash nhúng tiếp tục cần hiệu suất và mật độ cao hơn, và UFS đã trở thành giải pháp được nhiều người lựa chọn. Từ góc độ tổng số GB, UFS hiện chiếm phần lớn nhu cầu so với e-MMC.

Theo Forward Insights, khi kết hợp nhu cầu tổng thể của UFS và e-MMC GB trên toàn thế giới, gần 70% nhu cầu trong năm nay là dành cho UFS và con số này dự kiến ​​sẽ tiếp tục tăng.

Scott Beekman, giám đốc cấp cao của các sản phẩm bộ nhớ flash được quản lý cho KIOXIA Mỹ.

Những tiến bộ chính bao gồm:

• Hiệu suất tăng 30% khi đọc ngẫu nhiên và 40% khi ghi ngẫu nhiên.
• Máy chủ hiệu suất Booster (HPB) Ver. 2.0: Cải thiện hiệu suất đọc ngẫu nhiên bằng cách sử dụng bộ nhớ phía máy chủ để lưu trữ các bảng dịch logic sang vật lý. Trong khi HPB Ver. 1.0 chỉ cho phép truy cập kích thước chunk 4 kilobyte, HPB Ver. 2.0 cho phép truy cập rộng hơn - có thể tăng hiệu suất đọc ngẫu nhiên hơn nữa.
• Gói 256GB mỏng hơn với chiều cao chỉ 0.8mm.