24 de marzo de 2023 /semimedia/ — ROHM Semiconductores anunció recientemente su control de ultra alta velocidad IC la tecnología que maximiza el rendimiento de GaN y otros dispositivos de conmutación de alta velocidad.
La nueva tecnología IC de control de ROHM incorpora Nano Pulse Control. Se cultiva mediante la combinación de experiencia analógica avanzada que cubre circuito diseño, procesos y diseño utilizando el sistema de producción integrado verticalmente de ROHM. Esto reduce significativamente el ancho de pulso de control mínimo del IC de control de los 9 ns convencionales a 2 ns utilizando una configuración de circuito única, lo que permite pasar de voltajes altos de hasta 60 V a voltajes bajos de hasta 0.6 V con un solo IC de fuente de alimentación en Aplicaciones de 24V y 48V. Además, la compatibilidad con componentes periféricos de accionamiento más pequeños para la conmutación de alta frecuencia de dispositivos GaN reduce el área de montaje en aproximadamente un 86 % en comparación con las soluciones convencionales cuando se combina con un circuito de fuente de alimentación EcoGaN.
Si bien la adopción de dispositivos GaN se ha expandido en los últimos años debido a sus características superiores de conmutación de alta velocidad, la velocidad de los circuitos integrados de control, que son responsables de dirigir la conducción de estos dispositivos, se ha convertido en un desafío. En respuesta, ROHM ha desarrollado aún más su tecnología de control de pulsos de ultra alta velocidad, Nano Pulse Control™. Esta tecnología se cultiva para los circuitos integrados de suministro de energía, logrando mejorar significativamente el ancho de pulso de control de los 9ns convencionales a los mejores [1] 2ns de la industria. Aprovechar esta tecnología ha permitido a ROHM establecer su tecnología IC de control de ultra alta velocidad que maximiza el rendimiento de los dispositivos GaN.
Al buscar la miniaturización del circuito de suministro de energía, es necesario reducir el tamaño de los componentes periféricos a través de la conmutación de alta velocidad. Lograr esto requiere un IC de control que pueda aprovechar el rendimiento de la unidad de los dispositivos de conmutación de alta velocidad, como los dispositivos GaN. Para proponer soluciones que incluyan componentes periféricos, ROHM estableció una tecnología IC de control de ultra alta velocidad optimizada para dispositivos GaN que utiliza tecnología patentada de fuente de alimentación analógica Nano Pulse Control.
ROHM está trabajando actualmente para comercializar circuitos integrados de control que utilizan esta tecnología, con planes para comenzar el envío de muestras de un circuito integrado de control CC-CC de 100 V y 1 canal en la segunda mitad de 2023. Se espera usar esta tecnología junto con dispositivos ROHM GaN (serie EcoGaN™). para dar como resultado ahorros de energía significativos y miniaturización en una variedad de aplicaciones, incluidas estaciones base, centros de datos, equipos FA (Factory Automation) y drones.