24 mars 2023 /Semimédia/ — ROHM Semi-conducteurs a récemment annoncé son contrôle ultra-rapide IC sans souci qui maximise les performances du GaN et d’autres dispositifs de commutation à grande vitesse.
La nouvelle technologie de contrôle IC de ROHM intègre le Nano Pulse Control. Il est cultivé en combinant une expertise analogique avancée couvrant circuit conception, processus et mise en page utilisant le système de production intégré verticalement de ROHM. Cela réduit considérablement la largeur d'impulsion de commande minimale du circuit intégré de contrôle de 9 ns conventionnel à 2 ns en utilisant une configuration de circuit unique, ce qui permet de passer de hautes tensions jusqu'à 60 V à des basses tensions jusqu'à 0.6 V avec un seul circuit intégré d'alimentation dans Application 24V et 48V. De plus, la prise en charge de composants périphériques d'entraînement plus petits pour la commutation haute fréquence des dispositifs GaN réduit la zone de montage d'environ 86 % par rapport aux solutions conventionnelles lorsqu'elles sont associées à un circuit d'alimentation EcoGaN.
Alors que l'adoption des dispositifs GaN s'est étendue ces dernières années en raison de leurs caractéristiques de commutation à grande vitesse supérieures, la vitesse des circuits intégrés de contrôle, qui sont chargés de diriger la commande de ces dispositifs, est devenue un défi. En réponse, ROHM a fait évoluer sa technologie de contrôle des impulsions à ultra-haute vitesse, Nano Pulse Control™. Cette technologie est cultivée pour les circuits intégrés d'alimentation, réussissant à améliorer considérablement la largeur d'impulsion de commande de 9ns conventionnels à 1ns, le meilleur de l'industrie[2]. L'exploitation de cette technologie a permis à ROHM d'établir sa technologie de circuit intégré de contrôle ultra-rapide qui maximise les performances des dispositifs GaN.
Lorsque l'on poursuit la miniaturisation du circuit d'alimentation, il est nécessaire de réduire la taille des composants périphériques par une commutation à grande vitesse. Pour y parvenir, il faut un circuit intégré de contrôle capable de tirer parti des performances de commande des dispositifs de commutation à grande vitesse tels que les dispositifs GaN. Pour proposer des solutions qui incluent des composants périphériques, ROHM a mis en place une technologie de circuit intégré de contrôle ultra-rapide optimisée pour les dispositifs GaN utilisant la technologie d'alimentation analogique propriétaire Nano Pulse Control.
ROHM travaille actuellement à la commercialisation de circuits intégrés de contrôle utilisant cette technologie, avec des plans pour commencer l'expédition d'échantillons d'un circuit intégré de contrôle DC-DC 100V 1ch au cours du second semestre 2023. L'utilisation de cette technologie en conjonction avec les dispositifs ROHM GaN (série EcoGaN ™) est prévue pour entraîner d'importantes économies d'énergie et une miniaturisation dans une variété d'applications, y compris les stations de base, les centres de données, les équipements FA (Factory Automation) et les drones.