Semikron SKD75GAL123D Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/skd75gal123d.html

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Características:
• Terminales principales redondos (2 mm∅)
• Fácil perforación de PCB
• Vidrio de diodos de entrada pasivado
• 1400 V PIV, bueno para 500 VCA
• Alto índice de I2 t (corriente de irrupción)
• IGBT tiene una estructura de silicio NPT homogénea y sin enganches
• Alta capacidad de cortocircuito, autolimitante a 6 * Icnom
• Diodos CAL rápidos y suaves8)
• Placa base de cobre aislada mediante unión directa de cobre DCB Tecnología
• Gran holgura (9 mm) y distancias de fuga (13 mm).
Aplicaciones típicas: 
Puente rectificador de entrada (B6U) con chopper de frenado para convertidores de frecuencia PWM utilizando SEMITRANS SKM 75GD123D
Módulos IGBT SKD 75 GAL 123 D Puente de entrada B6U con chopper de frenado