Semikron SKD75GAL123D En stock

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Courriel: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/skd75gal123d.html

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Caractéristiques :
• Bornes principales rondes (2 mm∅)
• Perçage facile du PCB
• Diodes d’entrée en verre passivées
• PIV 1400 V, bon pour 500 VAC
• Indice I2 t élevé (courant d'appel)
• IGBT est une structure en silicium NPT homogène et sans verrouillage
• Capacité de court-circuit élevée, autolimitation à 6 * Icnom
• Diodes CAL rapides et douces8)
• Plaque de base en cuivre isolée utilisant la liaison directe en cuivre DCB Technologie
• Grand jeu (9 mm) et lignes de fuite (13 mm).
Applications typiques: 
Pont redresseur d'entrée (B6U) avec hacheur de freinage pour variateurs PWM utilisant SEMITRANS SKM 75GD123D
Modules IGBT SKD 75 GAL 123 D Pont d'entrée B6U avec hacheur de freinage