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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Polaridad del transistor: canal N
Corriente del colector de CC: 50A
Saturación del emisor del colector voltaje Vce (encendido): 2.8 V
Disipación de energía Pd: 400W
Voltaje colector emisor V (br) ceo: 1.2kV
Estilo de caja de transistor:
SEMITRANOS 2No. Número de pines: 7 pines
Temperatura de funcionamiento máx .: 150 ° C
SKM50GB123D Matriz y módulo IGBT Transistor N Canal 50 A 2.8 V 400 W 1.2 kV
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