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Email: sales@shunlongwei.com
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Polaridade do transistor: canal N
Corrente de coletor DC: 50A
Saturação do coletor emissor Voltagem Vce (ligado): 2.8 V
Pd de dissipação de energia: 400W
Tensão do emissor do coletor V (br) ceo: 1.2kV
Estilo da caixa do transistor:
SEMITRANS 2No. de pinos: 7 pinos
Temperatura de operação Max: 150 ° C
SKM50GB123D IGBT Array & Módulo Transistor N Canal 50 A 2.8 V 400 W 1.2 kV
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