13 de marzo de 2024: STMicroelectronics lanzó recientemente MOSFET de superunión de 600 V/650 V de grado automotriz en la serie STPOWER MDmesh DM9 AG, que brindan eficiencia y durabilidad superiores para aplicaciones de cargador integrado (OBC) y convertidor CC/CC en conmutación por hardware y Topologías de conmutación suave.
Con un excelente RDS(on) por área de matriz y una carga de puerta mínima, los dispositivos basados en silicio combinan bajas pérdidas de energía con un excelente rendimiento de conmutación, estableciendo una nueva cifra de mérito de referencia. En comparación con la generación anterior, el último MDmesh DM9 la tecnología garantiza una distribución más estrecha del voltaje umbral puerta-fuente (VGS(th)) que da como resultado una conmutación más nítida para menores pérdidas de encendido y apagado.
Además, se mejora la recuperación inversa del diodo corporal, aprovechando un nuevo proceso optimizado que también aumenta la robustez general de los MOSFET. La baja carga de recuperación inversa (Qrr) y el rápido tiempo de recuperación (trr) del diodo hacen que la serie MDmesh DM9 AG sea ideal para topologías de conmutación de tensión cero y cambio de fase que exigen la máxima eficiencia.
La familia ofrece una selección de paquetes de montaje en superficie y orificio pasante que ayudan a los diseñadores a lograr un factor de forma compacto con alta densidad de potencia y confiabilidad del sistema. El TO-247 LL (camino largo) es una opción popular de orificio pasante que facilita el diseño y aprovecha los procesos de ensamblaje probados. Entre los paquetes de montaje en superficie, el H2PAK-2 (2 conductores) y el H2PAK-7 (7 conductores) están optimizados para enfriamiento de la parte inferior con sustratos térmicos o PCB con vías térmicas u otras mejoras. También están disponibles paquetes de montaje en superficie con refrigeración superior HU3PAK y ACEPACK™ SMIT.
El primer dispositivo de la nueva serie STPOWER MDmesh DM9 AG es el STH60N099DM9-2AG, un dispositivo de 27 V de canal N con calificación AEC-Q101 de 600 A en H2PAK-2, con RDS típico de 76 mΩ (encendido). ST ampliará la familia para ofrecer una gama completa de dispositivos, cubriendo una amplia gama de clasificaciones de corriente y RDS (encendido) de 23 mΩ a 150 mΩ.
El STH60N099DM9-2AG ya está disponible en ST eStore, desde $ 4.98. Para obtener más información, visite www.st.com/dm9-superjunction-mosfets.