Cubre una matriz Mosfet de 1,200 V 20 (en la foto), 40 u 80 mΩ (119, 63 o 35 A a 25 °C respectivamente). "Nuestros mosfets de SiC de matriz en buen estado proporcionan ventajas de rendimiento, como capacitancia de unión casi constante, baja pérdida de inserción y alto aislamiento necesario para aplicaciones de alta frecuencia", afirmó el vicepresidente de productos de la compañía, Michael Tsang. “Los clientes pueden recibir troqueles de calidad garantizada que ofrecerán resultados predecibles y […]
21 de marzo de 2024: según los informes, Odyssey Semiconductor Technologies Inc., una empresa centrada en el desarrollo de componentes y sistemas de conmutación de energía de alto voltaje basados en tecnología de procesamiento de nitruro de galio (GaN), acordó vender sus activos por 9.52 millones de dólares y luego disolverse. . Odyssey tiene una instalación de fabricación de obleas semiconductoras de 10,000 pies cuadrados equipada con una proporción de Clase […]
19 de marzo de 2024: STMicroelectronics anuncia la expansión de su familia STPOWER MDmesh DM9 AG con MOSFET de superunión de 600 V/650 V de grado automotriz, que brindan eficiencia y durabilidad superiores para aplicaciones de cargador integrado (OBC) y convertidor CC/CC en conmutación dura y suave. -Cambio de topologías. Con un excelente RDS(on) por área de matriz y una carga de puerta mínima, los dispositivos basados en silicio combinan bajas pérdidas de energía con […]
13 de marzo de 2024: STMicroelectronics lanzó recientemente MOSFET de superunión de 600 V/650 V de grado automotriz en la serie STPOWER MDmesh DM9 AG, que brindan eficiencia y durabilidad superiores para aplicaciones de cargador integrado (OBC) y convertidor CC/CC en conmutación por hardware y Topologías de conmutación suave. Con un excelente RDS (encendido) por área de matriz y una carga de puerta mínima, los dispositivos basados en silicio combinan bajas pérdidas de energía con una excelente conmutación […]
"El píxel vertical alargado permite una captación eficiente de la luz, incluso con tiempos de integración más cortos", según la época. "Superando al CMOS convencional en la región VUV [vacío ultravioleta, ver gráfico], ambos sensores exhiben una sensibilidad notable de 140 a 1,000 nm". Ambos vienen en un paquete DIP de orificio pasante de 42 mm de largo (ver foto) e incluyen 28.7 mm de largo y 0.2 mm […]
Son: CDMSJ2204.7-650 (4.7A) CDMSJ2207.3-650 (7.3A) CDMSJ22010-650 (10A) CDMSJ22013.8-650 (13.8A) CDMSJ22029-650 (29A) “Estos mosfets de superunión amplían la eficiencia para una variedad de aplicaciones finales”, según el director de marketing de Central, Tom Donofrio. Además, “se combinan bien con los rectificadores rápidos de Central para la corrección del factor de potencia”.
La iluminación LED con nitruro de galio ya está generando enormes reducciones en la cantidad de energía eléctrica utilizada en todo el mundo y, dentro de diez años, se predice que esos ahorros podrían llegar al 46%. Pero en lo que respecta al consumo de electricidad, existe otra tecnología electrónica que podría resultar aún más valiosa en el […]
#PM450CG1C065 Mitsubishi PM450CG1C065 Nuevo MISUBISHI Uso de conmutación de alta potencia tipo aislado VCES 650V / 450 A, #PM450CG1C065 Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/pm450cg1c065.html FEATURE a) Adopting Full-Gate CSTBTTM chip. b) The over-temperature protection which detects the chip surface temperature of CSTBTTM is adopted. c) Error output signal is available from each protection upper and lower arm of IPM. […]
Profusion Ltd es un distribuidor especializado en semiconductores que ha suministrado a la industria del audio durante casi 35 años, forjando estrechos vínculos con socios globales que diseñan y fabrican una amplia gama de componentes de última generación. Muchas de estas piezas tienen una base de aplicaciones mucho más amplia que el audio, con un potencial considerable para la gestión industrial, médica y de energía […]