Módulo IGBT Semikron SKiM304GD12T4D: rendimiento energético avanzado El módulo IGBT Semikron SKiM304GD12T4D presenta características de vanguardia diseñadas para aplicaciones de energía avanzadas. Aprovechando la tecnología Trenchgate, este módulo ofrece un rendimiento excepcional en diversos escenarios. Su Vce(sat) con coeficiente de temperatura positivo garantiza un funcionamiento estable ante fluctuaciones de temperatura, mientras que su notable capacidad de cortocircuito aumenta su versatilidad. Presenta aplicaciones típicas […]
El Toshiba MG200H1AL2 es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) robusto diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. A continuación se ofrece una descripción general concisa de sus características y especificaciones clave: Descripción: El MG200H1AL2 es un módulo de transistor con una corriente nominal de 200 amperios y una tensión nominal de 450 voltios. Pesa 210 gramos (aproximadamente 0.46 libras), […]
El módulo IGBT Starpower GD200HFL120C2S es un dispositivo semiconductor de potencia de alto rendimiento diseñado para conmutación y control de energía eficiente. Estos son los detalles y características clave del módulo IGBT GD200HFL120C2S: Descripción general: El módulo de alimentación IGBT STARPOWER está diseñado para proporcionar pérdidas de conducción ultrabajas y alta resistencia a cortocircuitos. Está diseñado para aplicaciones como […]
El MDS MDS200A1600V es un módulo IGBT conocido por sus características y especificaciones que lo hacen adecuado para diversas aplicaciones. Aquí están los detalles: Características: Clasificaciones y características máximas: El módulo IGBT MDS200A1600V está diseñado para proporcionar capacidades eficientes de control y conmutación de energía. Se caracteriza por su capacidad de manejo de alto voltaje y corriente, lo que lo convierte en […]
Infineon DDB6U205N16L es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) con las siguientes clasificaciones y características máximas: Tenga en cuenta que estos valores representan las clasificaciones máximas absolutas para el módulo IGBT DDB6U205N16L y se proporcionan para consideraciones operativas y de seguridad adecuadas en diversas aplicaciones. .
El Infineon FF400R07KE4 es un módulo IGBT dual de 650 V y 400 A fabricado por Infineon Technologies. Este módulo cuenta con tecnología TRENCHSTOP™ IGBT4 junto con un diodo controlado por emisor. Está diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren una mayor capacidad de voltaje de bloqueo, una alta capacidad de cortocircuito y un rendimiento eléctrico óptimo. El módulo está alojado en un estándar […]
El Infineon FF400R06KE3 es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. Viene con clasificaciones y características máximas específicas que lo hacen adecuado para diversas aplicaciones industriales y de control de energía. Estas son las especificaciones y características clave del módulo IGBT FF400R06KE3: Clasificaciones y características máximas: el módulo IGBT FF400R06KE3 […]
el Infineon #FZ400R17KE3 es esencial para un uso adecuado y para evitar daños o fallas. Repasemos cada una de las máximas valoraciones y características de este componente:
El Fuji 2MBI400VG-060 es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren capacidades de accionamiento de voltaje y conmutación de alta velocidad. A continuación se detallan las características, aplicaciones y clasificaciones máximas de este módulo: Características: Aplicaciones: Clasificaciones máximas (Tc=25°C a menos que se especifique lo contrario):