el módulo IGBT Fuji 1MBI300U2H-060L-50, un componente electrónico de alta potencia utilizado en diversas aplicaciones, especialmente aquellas que requieren altas capacidades de manejo de corriente y voltaje. A continuación se muestra un desglose de los detalles clave: Especificaciones del módulo: Características: Clasificaciones y características máximas (Tc=25°C a menos que se especifique lo contrario):
Módulo IGBT Fuji 1MBI600PX-120: solución de energía de alto rendimiento para diversas aplicaciones El módulo IGBT Fuji 1MBI600PX-120 es un módulo de energía de alto rendimiento diseñado para diversas aplicaciones de electrónica de potencia. Este módulo está equipado con características que mejoran su rendimiento y versatilidad. Características Aplicaciones Clasificaciones y características máximas (Tc = 25 ° C a menos que se especifique lo contrario) El módulo 1MBI600PX-120 ofrece confiabilidad y eficiencia […]
Características: Aplicaciones: Valores máximos y características:
El módulo IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 es un módulo semiconductor de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes de alta potencia en áreas como motores, inversores y fuentes de alimentación. Estas son las características, aplicaciones y especificaciones clave del módulo: Características: Características clave: Aplicaciones: Clasificaciones y características máximas: La combinación del módulo IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 de capacidades de alta potencia, […]
El módulo IGBT Infineon FZ600R65KF2 es un componente robusto y de alta potencia diseñado para diversas aplicaciones industriales, que ofrece una serie de características y especificaciones notables: Características: Aplicaciones: Sensor de temperatura NTC incorporado: Clasificaciones y características máximas: El módulo IGBT Infineon FZ600R65KF2 de alta La capacidad de energía, la tecnología avanzada y la detección de temperatura incorporada lo convierten en una opción confiable y eficiente […]
Semikron SEMIX603GB12E4P es un módulo semiconductor de alta potencia diseñado para aplicaciones exigentes como motores, inversores y fuentes de alimentación. A continuación se ofrece una descripción general de sus características clave, especificaciones y aplicaciones típicas: Descripción: El módulo SEMIX603GB12E4P es un módulo semiconductor de potencia que incluye seis IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) y seis diodos, dispuestos en un […]
el módulo Fuji 1MB1600V-120 IGBT: estas son algunas de las características clave del Fuji 1MB1600V-120:
El módulo IGBT Fuji 2MBI600VE-120-50 es un módulo IGBT trifásico de 600 V, 50 A con un voltaje de estado encendido bajo y una velocidad de conmutación rápida. Está diseñado para su uso en inversores para accionamiento de motor, amplificadores de servoaccionamiento de CA y CC y fuentes de alimentación ininterrumpida. Las características clave del Fuji 3MBI2VE-600-120:
El número de pieza del fabricante MBRT60045 se refiere a un diodo Schottky de potencia de silicio de alta potencia, específicamente un módulo rectificador Schottky. Estas son las características y especificaciones basadas en la información proporcionada: Características: Clasificaciones máximas (a Tj = 25 °C): este módulo de diodo Schottky, con el número de pieza MBRT60045, está diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren una rectificación eficiente […]