El Fuji 1MBi2400VD-170E es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) con las siguientes características y especificaciones: Características: Aplicaciones: Clasificaciones y características máximas: Torque del tornillo de montaje: 3.5 N·m (Newton-metros)
El FUJI 2MBI600VN-120-50 es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) diseñado para aplicaciones de alta potencia que requieren conmutación de alta velocidad y variador de voltaje. Estas son las especificaciones y características de este módulo IGBT: Características: Aplicaciones: El módulo IGBT FUJI 2MBI600VN-120-50 se puede utilizar en diversas aplicaciones, entre las que se incluyen: Clasificaciones y características máximas (a Tc=25 °C a menos que se especifique lo contrario):
El Fuji 2MBI600VE-120 es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) con características y capacidades específicas diseñadas para diversas aplicaciones de electrónica de potencia. Características clave: Aplicaciones: Clasificaciones y características máximas (Tc=25°C a menos que se especifique): El módulo IGBT Fuji 2MBI600VE-120 está diseñado para manejar aplicaciones de alta potencia como motores, amplificadores, fuentes de alimentación y máquinas industriales. Su alta velocidad […]
Características clave de FF450R12KT4: Maravillas eléctricas: Destreza mecánica: Clasificación y características máximas (Tc=25 °C a menos que se especifique):
Módulo IGBT Fuji 1MBI600PX-120: solución de energía de alto rendimiento para diversas aplicaciones El módulo IGBT Fuji 1MBI600PX-120 es un módulo de energía de alto rendimiento diseñado para diversas aplicaciones de electrónica de potencia. Este módulo está equipado con características que mejoran su rendimiento y versatilidad. Características Aplicaciones Clasificaciones y características máximas (Tc = 25 ° C a menos que se especifique lo contrario) El módulo 1MBI600PX-120 ofrece confiabilidad y eficiencia […]
Características: Aplicaciones: Valores máximos y características:
El FUJI 6RI75G-160 es un módulo semiconductor de potencia diseñado para aplicaciones industriales de alta potencia. Estas son las especificaciones y características clave de este módulo: Características del módulo: Funciones de protección incorporadas: Número de pieza del fabricante: 6RI75G-160 Descripción del paquete: R-XUFM-X5 Número de pines: 5 Fabricante: Fuji Electric Co Ltd Conexión de la caja: Configuración aislada : Puente, diodo de 6 elementos Material del elemento: diodo de silicio […]
El módulo IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 es un módulo semiconductor de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes de alta potencia en áreas como motores, inversores y fuentes de alimentación. Estas son las características, aplicaciones y especificaciones clave del módulo: Características: Características clave: Aplicaciones: Clasificaciones y características máximas: La combinación del módulo IGBT SEMIKRON SKM400GAR12T4 de capacidades de alta potencia, […]
El módulo IGBT Infineon FZ600R65KF2 es un componente robusto y de alta potencia diseñado para diversas aplicaciones industriales, que ofrece una serie de características y especificaciones notables: Características: Aplicaciones: Sensor de temperatura NTC incorporado: Clasificaciones y características máximas: El módulo IGBT Infineon FZ600R65KF2 de alta La capacidad de energía, la tecnología avanzada y la detección de temperatura incorporada lo convierten en una opción confiable y eficiente […]