Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation anuncia una importante inversión en el negocio de dispositivos eléctricos

Actualización: 10 de diciembre de 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ampliará la capacidad de producción de dispositivos eléctricos con la construcción de una instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros en Kaga Toshiba Electronics Corporation en Japón. La producción en masa de la nueva línea comenzará en la primera mitad del año fiscal 2023.

Los dispositivos de energía son esenciales componentes para gestionar y reducir el consumo de energía de los vehículos y equipos industriales y otros equipos eléctricos. El crecimiento en los sectores de vehículos eléctricos, automatización de fábricas y energías renovables continúa impulsando el crecimiento de la demanda de dispositivos eléctricos.

Hasta ahora, Toshiba ha satisfecho la demanda ampliando la capacidad de producción en una instalación de obleas de 200 mm en Kaga Toshiba Electronics Corporation. La empresa construirá la nueva instalación de 300 mm en un edificio en el mismo sitio que actualmente alberga una línea de 200 mm. La nueva línea de 300 mm se utilizará para fabricar óxidos metálicos de bajo voltaje.Semiconductores Transistores de efecto de campo (MOSFET) y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).

Toshiba tomará decisiones sobre nuevas inversiones para aumentar la producción de acuerdo con las condiciones del mercado. También continuará expandiendo la producción de semiconductores discretos, incluidos dispositivos de potencia, en Japón. Semiconductores Corporation, una subsidiaria de fabricación que produce principalmente sistemas LSI.

Toshiba fortalecerá su negocio de dispositivos de energía al expandir la capacidad de producción y continuará contribuyendo a los avances en el ahorro de energía.

Descripción general de Kaga Toshiba Electronics Corporation

Ubicación: 1-1, Iwauchi-cho, Nomi-shi, Prefectura de Ishikawa, Japón
Presidente y Director Representante: Hideo Tokunaga
Empleados: Aprox. 980 (a partir del 1 de enero de 2021)
Productos principales: semiconductores discretos (dispositivos de potencia, dispositivos de pequeña señal y optoelectrónica)