Toshiba MG100J6ES52 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mg100j6es52.html

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MG100J6ES52 Descripción

Transistor MG100J6ES52 módulo; 100 amperios; 600 voltios. IGBT de canal N de silicio; que tiene una amplia aplicación como conmutación de alta potencia y alta velocidad. Se presenta con alta impedancia de entrada y modo de mejora.

MG100J6ES52 1.10 libras

Aplicaciones_objetivo

MG100J6ES52 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia

Caracteristicas

IGBT de canal N (aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)
100A / 600V / IGBT / 6U