Toshiba MG300Q1US51 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

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MG300Q1US51 Descripción

GTR Módulo Canal N de silicio IGBT; TRANS IGBT MÓDULO N-CH 1200V 400A 4(2-109F1A); Módulo IGBT GTR de canal N de silicio para conmutación de alta potencia; aplicaciones de control de motores; 300 amperios; 1200 voltios

MG300Q1US51 1.03 libras

Aplicaciones_objetivo

MG300Q1US51 podría utilizarse en aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de control de motores

Caracteristicas

Módulo GTR Silicio N Canal IGB
IGBT: 300A1200V