Toshiba MG300Q1US51 En stock

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Description du MG300Q1US51

GTR Module Silicium N Channel IGBT; TRANS IGBT MODULE N-CH 1200V 400A 4(2-109F1A); Module IGBT GTR à canal N en silicium pour une commutation haute puissance ; applications de commande de moteur ; 300 A ; 1200 Volts

MG300Q1US51 1.03 livres

Cible_Applications

MG300Q1US51 pourrait être utilisé dans les applications de commutation haute puissance Applications de contrôle de moteur

Fonctionnalités:

Module GTR Silicon N Channel IGB
IGBT : 300A1200V