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MG300Q2YS50 Descripción
MG300Q2YS50 GTR Módulo Canal N de silicio IGBT; TRANS IGBT MÓDULO N-CH 1200V 400A 7 (2-109C1A); 300 amperios; 1200 voltios. Aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de control de motores.
MG300Q2YS50 1.10 libras
Aplicaciones_objetivo
MG300Q2YS50 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia
Caracteristicas
IGBT de canal N (aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)
2IGBT: 300A1200VMG300Q2YS50 Description
MG300Q2YS50 Módulo GTR Canal N de silicio IGBT; MÓDULO TRANS IGBT N-CH 1200V 400A 7 (2-109C1A); 300 amperios; 1200 voltios. Aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de control de motores.
MG300Q2YS50 1.10 lbs Target_Applications MG300Q2YS50 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia Clasificaciones máximas (Ta-25 ° C) Colector-Emisor voltaje Vces: 1200 V
Emisor de puerta voltaje VGES: ± 20 V
Corriente del colector IC: 300A
Corriente de colector Icp: 600A
Disipación de potencia del colector Pc: 2000W
Colector-Emisor voltaje VCES: 2500 V
Temperatura de unión de funcionamiento Tj: + 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg: -40 a + 125 ° C
Par de apriete del tornillo de montaje 3/3 * 1 N · m