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Description du MG300Q2YS50
MG300Q2YS50 GTR Module Silicium N Channel IGBT; TRANS IGBT MODULE N-CH 1200V 400A 7 (2-109C1A); 300 ampères; 1200 volts. Applications de commutation haute puissance Applications de contrôle de moteur.
MG300Q2YS50 1.10 livres
Cible_Applications
Le MG300Q2YS50 peut être utilisé dans les applications de commande de moteur / commutation haute puissance
Fonctionnalités:
IGBT à canal N (applications de commutation haute puissance / contrôle de moteur)
2IGBT: 300A1200VMG300Q2YS50 Description
MG300Q2YS50 GTR Module Silicium N Canal IGBT; MODULE TRANS IGBT N-CH 1200V 400A 7 (2-109C1A); 300 ampères; 1200 volts. Applications de commutation haute puissance Applications de contrôle de moteur.
MG300Q2YS50 1.10 lb Target_Applications Le MG300Q2YS50 peut être utilisé dans les applications de commutation/commande de moteur haute puissance Valeurs nominales maximales (Ta-25°C) Collecteur-Emetteur Tension Vces: 1200 V
Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V
Courant de collecteur IC: 300A
Courant de collecteur Icp: 600A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 2000W
Collecteur-émetteur Tension VCE : 2500 V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Couple de serrage de la vis de montage 3/3 * 1 N · m