#MG75J2YS50 Toshiba MG75J2YS50 Nuevo 2IGBT: 75A600V;GTR módulo canal N de silicio IGBT para aplicaciones de conmutación de alta potencia; 75 amperios; 600 voltios. , Imágenes MG75J2YS50, precio MG75J2YS50, proveedor # MG75J2YS50
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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MG75J2YS50 Descripción
Canal N de silicio del módulo GTR IGBT para aplicaciones de conmutación de alta potencia; 75 amperios; 600 voltios.
MG75J2YS50 0.45 libras
Aplicaciones_objetivo
MG75J2YS50 podría usarse en (aplicaciones de control de motor / conmutación de alta potencia)
Caracteristicas
Módulo GTR Canal N de silicio IGBT
2IGBT: 75A600V; módulo GTR de canal N de silicio IGBT para aplicaciones de conmutación de alta potencia; 75 amperios; 600 voltios.
Shunlongwei inspeccionó todos los MG75J2YS50 antes del envío, todos los MG75J2YS50 con 6 meses de garantía.