#MG75J2YS50 Toshiba MG75J2YS50 Novo 2IGBT: 75A600V;GTR módulo canal N de silício IGBT para aplicações de comutação de alta potência; 75 Amp; 600 volts. , fotos MG75J2YS50, preço MG75J2YS50, fornecedor # MG75J2YS50
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Email: sales@shunlongwei.com
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Descrição MG75J2YS50
Canal N de silício do módulo GTR IGBT para aplicação de comutação de alta potência; 75 Amp; 600 Volt.
MG75J2YS50 0.45 lbs
Alvo_Aplicativos
MG75J2YS50 pode ser usado em (aplicações de comutação de alta potência / controle de motor)
Funcionalidades
Canal N de Silício do Módulo GTR IGBT
2IGBT: 75A600V; IGBT de canal N de silício do módulo GTR para aplicação de comutação de alta potência; 75 Amp; 600 Volt.
Shunlongwei inspecionado todos os MG75J2YS50 antes do envio, todos os MG75J2YS50 com 6 meses de garantia.