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MG75Q2YS40 Descripción
MG75Q2YS40 - ¡uno de los mejores módulos IGBT ahora! Presenta y ofrece un rendimiento de alta potencia en su misma carcasa.
Fabricado por Toshiba, el MG75Q2YS40 es un GTR Módulo IGBT de canal N de silicio fabricado especialmente para satisfacer sus necesidades de conmutación de alta potencia. Presenta muchas propiedades sorprendentes, incluida una alta impedancia de entrada y un interruptor de alta velocidad en solo 0.5 microsegundos. También tiene sus electrodos aislados de su carcasa, protegiéndolos contra casos en los que los electrones se acumularían y causarían daños graves.
MG75Q2YS40 0.45 libras
Aplicaciones_objetivo
MG75Q2YS40 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia
Caracteristicas
IGBT de canal N (aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)
IGBT: 75A1200V
Shunlongwei inspeccionó todos los MG75Q2YS40 antes del envío, todos los MG75Q2YS40 con 6 meses de garantía.