APT APTGF50X60RTP3G En Stock

Mise à jour : 14 novembre 2023 Mots clés:ic

APTGF50X60RTP3G

#APTGF50X60RTP3G APT APTGF50X60RTP3G New APTGF50X60RTP3G Insulated Gate Bipolar Transistor, 35 A I(C), 600 XNUMX V V(BR)CES, canal N, MODULE-35; APTGF50X60RTP3G , APTGF50X60RTP3G pictures, APTGF50X60RTP3G price, #APTGF50X60RTP3G supplier
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com

-----------------------

Numéro de pièce du fabricant : APTGF50X60RTP3G
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: MICROSEMI CORP
Code de paquet de pièce: MODULE
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-XUFM-X35
Nombre de broches: 35
Fabricant: Microsemi Corporation
Classement de risque: 5.05
Caractéristique supplémentaire : FAIBLE PERTE DE CONDUCTION
Connexion du boîtier: ISOLÉ
Courant maximum du collecteur (IC): 35 A
Collecteur-émetteur Tension-Max: 600 V
Configuration: COMPLEXE
Code JESD-30: R-XUFM-X35
Code JESD-609: e1
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 7
Nombre de terminaux: 35
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: NON SPÉCIFIÉ
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: NON
Finition terminale: TIN ARGENT CUIVRE
Forme du terminal: NON SPÉCIFIÉ
Position du terminal: UPPER
Temps
Transistor bipolaire à grille isolée, 35A I (C), 600V V (BR) CES, canal N, MODULE-35