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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM30GP60
Fabriquant: Infineon
Catégorie de produit: Modules IGBT
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: hexadécimal
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 600 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.45 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 50 A
Courant de fuite porte-émetteur: 300 nA
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Colis/boîte : EconoPIM2
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Pd - Dissipation de puissance: 180 W