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Email: sales@shunlongwei.com
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Catégorie de produit: Modules IGBT
Fabriquant: Infineon
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: hexadécimal
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.15 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 105 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Pd - Dissipation de puissance: 355 W
Paquet / Caisse : Econo 2
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Marque: Infineon Technologies
Hauteur : 17 mm
Longueur : 107.5 mm
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Quantité par emballage d'usine: 10
Largeur : 45 mm
Modules IGBT N-CH 1.2KV 105A
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