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Email: sales@shunlongwei.com
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FZ1200R16KF4
Catégorie de produits: IGBT Modules
Fabriquant: Infineon
RoHS: Non
Produit: Modules de silicium IGBT
Configuration: double
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1600 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 3.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 1200 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Pd - Dissipation de puissance: 7.8 kW
Paquet / Caisse : IHM130
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Marque: Infineon Technologies
Hauteur : 38 mm
Longueur : 140 mm
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: SMD / SMT
Quantité par emballage d'usine: 2
Largeur : 130 mm
Modules IGBT 1600V 1200A SINGLE 1200A / 1600V / IGBT / 1U
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