FUJI 7MBR50SB120-50 En stock

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7MBR50SB120-50

Émetteur collecteur Tension V (br) ceo: 1.2 kV

Émetteur collecteur Tension Vces: 2.1 V

Courant de collecteur CC: 75A

Nombre de broches: 24

Température de fonctionnement max: 150 ° C

Dissipation de puissance Pd: 360W

SVHC: à conseiller

Type de boîtier de transistor: Module

Polarité du transistor: canal N

FUJI ÉLECTRIQUE 7MBR50SB-120-50 IGBT Réseau et module Transistor Semitrans Canal N 75 A 2.1 V 360 W 1.2 kV Module

Shunlongwei inspecté tous les 7MBR50SB120-50 avant expédition, tous les 7MBR50SB120-50 avec une garantie de 6 mois.