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Courriel: sales@shunlongwei.com
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BSM10GP120
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.4 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 20
Courant de fuite porte-émetteur: 300 na
Pd - Dissipation de puissance: 100 W
Paquet / Cas: ÉconoPIM2
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Paquet: Plateau
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
IGBT: 10A1200V; Modules IGBT 1200V 10A PIM
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