#BSM50GD120DLC Infineon BSM50GD120DLC Nouveau 50A / 1200V /IGBT/ 6U;IGBT Modules 1200V 50A 3-PHASE, images BSM50GD120DLC, prix BSM50GD120DLC, fournisseur #BSM50GD120DLC
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS: OUI
Marque: Infineon Technologies
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 2.4 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 85
Courant de fuite porte-émetteur: 400 na
Pd - Dissipation de puissance: 350 W
Paquet / Cas: ÉconoPACK 2A
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Paquet: Gros Volume
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 10
50A / 1200V / IGBT / 6U; modules IGBT 1200V 50A triphasé
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