#FF200R12KT4 Infineon FF200R12KT4 Nouveau IGBT Modules N-CH 1.2KV et 200A~400A, photos FF200R12KT4, prix FF200R12KT4, fournisseur #FF200R12KT4
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Email: sales@shunlongwei.com
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FF200R12KT4 Fiche technique
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tension collecteur-émetteur VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Continu DCcollectorcurrent IC 200A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromPeakcollecteur répétitifcurrent ICP 400A
Puissance dissipée totale Dissipation totale TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C Ptot 1100 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeaktension VGES +/- 20 V
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 ° C