#FF200R12KT4 Infineon FF200R12KT4 Baharu IGBT Modul N-CH 1.2KV dan 200A ~ 400A, gambar FF200R12KT4, harga FF200R12KT4, pembekal # FF200R12KT4
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FF200R12KT4 Helai
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Pemungut-emittervoltage VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom BerterusanDCcollectorcurrent IC 200A
Kolektor puncak semasa berkala puncak Pemungut puncak semasa ICP 400A
Gesamt-Verlustleistung TotalPowerdissipation TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C Ptot 1100 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/- 20 V
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 ° C