Mitsubishi QM200HA-H En stock

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Caractéristiques du QM200HA-H

• Courant du collecteur IC 200A

• Collecteur-émetteur VCEX Tension 1000V

• Gain de courant CC hFE 75

• Type isolé

• Reconnu UL

COTES MAXIMALES ABSOLUES (Tj = 25 ° C, sauf indication contraire)

Tension collecteur-base Emetteur ouvert VCBO 600V

Courant inverse du collecteur DC (courant de diode directe 200A

Dissipation du collecteur TC = 25 ° C 1250W

Température de jonction Ti –40 ~ + 150 ° C

Température de stockage Tstg –40 ~ + 125 ° C

Poids 420g

IGBT Transistor module 200A/1000V/GTR/75

Shunlongwei inspecté chaque QM200HA-H avant l'expédition, tous les QM200HA-H avec une garantie de 6 mois.