Mitsubishi QM50DY-2H En stock

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Les modules de transistor Mitsubishi utilisent le type isolé à commutation de puissance moyenne QM50DY-2H

Valeurs et caractéristiques maximales

Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)

Collecteur-émetteur Tension Vces: 1000 V

Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V

Courant de collecteur IC: 50A

Dissipation de puissance du collecteur Pc: 400W

Tension collecteur-émetteur VCES: 2500V

Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C

Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C

Les modules de transistor Mitsubishi utilisent le type isolé à commutation de puissance moyenne

Shunlongwei inspecté chaque QM50DY-2H avant expédition, tous les QM50DY-2H avec 6 mois de garantie.