Renesas Electronics Corporation a récemment lancé une nouvelle gamme de dispositifs résistant aux radiations (rad-hard) emballés dans du plastique pour les systèmes de gestion de l'énergie des satellites. Les quatre nouveaux appareils incluent le Buck de point de chargement (POL) ISL71001SLHM/SEHM régulateur, les isolateurs numériques ISL71610SLHM et ISL71710SLHM, ainsi que le FET GaN 73033 V ISL100SLHM et le pilote low-side intégré. Combinant des niveaux d'assurance ultra-résistants avec les économies de surface de carte et les avantages de coût des emballages en plastique, le nouveau portefeuille apporte des solutions de qualité spatiale aux missions en orbite terrestre moyenne/géosynchrone (MEO/GEO) avec des exigences de durée de vie plus longues, ainsi qu'aux petits satellites ( petits satellites) et des composants électroniques à plus haute densité, tout en réduisant les coûts de taille, de poids et de puissance (SWaP).
Les nouveaux circuits intégrés complètent également les circuits intégrés à boîtier plastique tolérants aux rayonnements Renesas introduits en 2017 pour les petits satellites en orbite terrestre basse. Ensemble, le plastique de Renesas IC La gamme prend en charge plusieurs gammes d'orbites, offrant les performances de rayonnement et l'équilibre des coûts optimal requis pour une variété de sous-systèmes et de charges utiles de satellites.
« Avec chaque nouvelle mission, les clients veulent plus de fonctionnalités, ce qui nécessite des charges utiles de satellite plus importantes et s'est traditionnellement traduit par une augmentation de la SWaP pour les systèmes satellitaires », a déclaré Philip Chesley, vice-président de la division industrielle et des communications de Renesas. « Avec les nouveaux circuits intégrés de Renesas, les clients peuvent profiter des avantages SWaP des emballages en plastique pour économiser jusqu'à 50 % de la surface de la carte par rapport aux appareils emballés en céramique, tout en maintenant la fiabilité et la garantie de rayonnement requises pour les missions en orbite plus élevée avec des durées de vie allant et au-delà de 15 ans.
Traditionnellement, les circuits intégrés durcis par rayonnement étaient presque exclusivement produits à l'aide de boîtiers en céramique hermétiquement scellés, qui atteignaient la fiabilité requise mais présentaient des compromis importants en termes de taille et de poids. Les nouveaux circuits intégrés en plastique ultra-dur de Renesas aident les clients à réduire leur empreinte et leurs coûts électroniques sans compromettre les performances.
Pour garantir que les circuits intégrés en plastique adhèrent à la plus haute qualité pour un fonctionnement dans des environnements spatiaux difficiles, les nouveaux appareils sont soumis à des tests de niveau de production de type QMLV et tous les appareils seront soumis à des tests d'acceptation de lots de rayonnement (RLAT).
Le flux de test de production comprend 100 % CSAM, rayons X, cycles de température, déverminage statique et dynamique et inspection visuelle, et est conforme à la norme SAE AS6294/1 pour la microélectronique encapsulée dans du plastique dans l'espace. Un contrôle supplémentaire comprend le test d'assurance de lot par assemblage et le produit de lot de plaquettes pour HAST, les tests de durée de vie et la sensibilité à l'humidité.
La caractérisation des circuits intégrés rad-hard est testée à une dose ionisante totale (TID) allant jusqu'à 75krad(Si) pour un faible débit de dose (LDR) et à un transfert d'énergie linéaire (LET) de 60MeV•cm2/mg ou LET 86MeV•cm2 /mg pour les effets d'événement unique (SEE). L'ISL71001SEHM est évalué à TID jusqu'à 100krad (Si) pour un débit de dose élevé (HDR).
Les ISL71610SLHM, ISL73033SLHM et ISL71001SLHM sont disponibles dès maintenant. L'ISL71710SLHM sera disponible en septembre 2021 et l'ISL71001SEHM sera disponible au quatrième trimestre 4. Pour plus d'informations, veuillez visiter https://www.renesas.com/radhardplastics.