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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Fabricant: ROHM Semi-conducteurs
Catégorie de produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS: Détails
Style de montage: SMD / SMT
Polarité du transistor: PNP
Configuration: unique
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 80 V
Collecteur - Tension de base VCBO: - 80 V
Emetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Courant maximal du collecteur CC: 1 A
Gain de bande passante produit fT: 100 MHz
Température de fonctionnement maximale: + 150 C
Série: 2SB1260
Gain de courant CC hFE Max: 82 à 0.1 A à 3 V
Hauteur : 1.5 mm
Longueur : 4.5 mm
Emballage: ruban coupé
Emballage: MouseReel
Emballage: bobine
Largeur : 2.5 mm
Marque : ROHM Semi-conducteurs
Courant continu du collecteur: - 1 A
Collecteur CC / Gain de base hfe Min: 82
Pd - Dissipation de puissance: 2000 mW
Type de produit: BJT - Transistors bipolaires
Quantité par emballage d'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Poids unitaire: 0.004603 oz
TRANS PNP 80V 1A VTT
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