#SKIP 22NAB126V10 SEMI-KRON SKIIP 22NAB126V10 Nouveau bipolaire à porte isolée Transistor 28A I(C) 1200V V(BR)CES N-Channel, images SKIIP 22NAB126V10, prix SKIIP 22NAB126V10, fournisseur #SKIIP 22NAB126V10
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Courriel : sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/skiip22nab126v10.html
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Numéro de pièce du fabricant : SKIIP 22NAB126V10
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant Ihs: SEMIKRON INTERNATIONAL
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-XUFM-X42
Code ECCN: EAR99
Fabricant: SEMIKRON
Classement de risque: 5.71
Courant-max du collecteur (IC): 28 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 1200 V
Configuration: 3 BANQUES, SÉRIE CONNECTÉE, TAP CENTRAL, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE ET THERMISTANCE
Code JESD-30: R-XUFM-X42
Nombre d'éléments: 6
Nombre de terminaux: 42
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: NON SPÉCIFIÉ
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: NON
Forme du terminal: NON SPÉCIFIÉ
Position du terminal: UPPER
Transistor Application : CONTRLE DE PUISSANCE
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Temps de désactivation-Nom (toff): 475 ns
Temps de mise en marche-Nom (tonnes): 50 ns
Porte Isolée Bipolaire Transistor 28A I(C) 1200V V(BR)CES Canal N
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant Ihs: SEMIKRON INTERNATIONAL
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-XUFM-X42
Code ECCN: EAR99
Fabricant: SEMIKRON
Classement de risque: 5.71
Courant-max du collecteur (IC): 28 Un
Collecteur-émetteur Tension-Max: 1200 V
Configuration: 3 BANQUES, SÉRIE CONNECTÉE, TAP CENTRAL, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE ET THERMISTANCE
Code JESD-30: R-XUFM-X42
Nombre d'éléments: 6
Nombre de terminaux: 42
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: NON SPÉCIFIÉ
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: NON
Forme du terminal: NON SPÉCIFIÉ
Position du terminal: UPPER
Transistor Application : CONTRLE DE PUISSANCE
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Temps de désactivation-Nom (toff): 475 ns
Temps de mise en marche-Nom (tonnes): 50 ns
Porte Isolée Bipolaire Transistor 28A I(C) 1200V V(BR)CES Canal N