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Email: sales@shunlongwei.com
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SKM100GAL123D
Transistor Polarité : Canal N
Courant de collecteur CC: 100A
Saturation de l'émetteur du collecteur Tension Vce (activé): 1.2 kV
Dissipation de puissance Pd: -
Émetteur collecteur Tension V (br) ceo: 1.2 kV
Transistor Style de boîtier : module
Nombre de broches: 5 broches
Température de fonctionnement max: 150 ° C
Gamme de produits: - Température de fonctionnement Min: -40 ° C
SVHC: à conseiller
Matrice et module IGBT SEMIKRON SKM 100GAL123D Transistor Module canal N 100 A 1.2 kV 1.2 kV
Shunlongwei inspecté chaque SKM100GAL123D avant l'expédition, tous les SKM100GAL123D avec 6 mois de garantie.