#SKM75GAL123D Semikron SKM75GAL123D Nouveau 75A/1200V/IGBT+ DIODE / 2U, images SKM75GAL123D, prix SKM75GAL123D, fournisseur # SKM75GAL123D
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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non recommandé pour les nouvelles conceptions Caractéristiques : Entrée MOS (contrôlée par tension) Boîtier à faible inductance Courant de queue très faible avec faible dépendance à la température Capacité élevée de court-circuit, auto-limitation à 6 x I cnom Sans verrouillage Diodes CAL inverses rapides et douces Plaque de base en cuivre isolée utilisant Liaison directe du cuivre DCB Technologie Grand dégagement (10 mm) et ligne de fuite (20 mm) Applications typiques : L'onduleur CA entraîne l'onduleur SKM75GAL123D
75A / 1200V / IGBT + DIODE / 2U
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