#M29W040B-90K1E ST M29W040B-90K1E Nouvelle PROM 512KX8 FLASH 2.7V, 90ns, PQCC32, SANS PLOMB, PLASTIQUE, LCC-32, photos M29W040B-90K1E, prix M29W040B-90K1E, fournisseur #M29W040B-90K1E
-----------------------
E-mail: [email protected]
-----------------------
E-mail: [email protected]
https://www.slw-ele.com/m29w040b-90k1e.html
-----------------------
Numéro de pièce du fabricant : M29W040B90K1E
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: STMICROELECTRONICS
Code de paquet de pièce: QFJ
Description de l'emballage : SANS PLOMB, PLASTIQUE, LCC-32
Nombre de broches: 32
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8542.32.00.51
Fabricant: STMicroelectronics
Classement de risque: 5.77
Temps d'accès-max: 90 ns
Interface utilisateur de commande: OUI
Interrogation des données: OUI
Endurance: 100000 cycles d'écriture / d'effacement
Code JESD-30: R-PQCC-J32
Code JESD-609: e3
Longueur : 13.97 mm
Densité de la mémoire: 4194304 bits
Mémoire IC Type : FLASH
Largeur de mémoire: 8
Niveau de sensibilité à l'humidité: 3
Nombre de fonctions: 1
Nombre de secteurs / taille: 8
Nombre de terminaux: 32
Nombre de mots: 524288 mots
Code du nombre de mots: 512000
Mode de fonctionnement: ASYNCHRONE
Température de fonctionnement-Max: 70 ° C
Organisation: 512KX8
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Code de colis: QCCJ
Code d'équivalence du package: LDCC32, .5X.6
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: CHIP CARRIER
Parallèle / Série: PARALLEL
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Sources d'alimentation: 3 / 3.3 V
Programmation Tension: 2.7 V
Statut de qualification: non qualifié
Hauteur assise-max: 3.56 mm
Taille du secteur : 64K
Courant de veille-Max: 0.0001 A
Sous-catégorie: Flash Memories
Courant d'alimentation-max: 0.02 mA
Approvisionnement Tension-Maxi (Vsup): 3.6 V
Approvisionnement Tension-Min (Vsup): 2.7 V
Approvisionnement Tension-Nom (Vsup) : 3.3 V
Montage en surface: OUI
Technologie:CMOS
Classe de température: COMMERCIAL
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: J BEND
Pas de borne: 1.27 mm
Position terminale: QUAD
Temps
PROM 512KX8 FLASH 2.7V, 90ns, PQCC32, SANS PLOMB, PLASTIQUE, LCC-32
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: STMICROELECTRONICS
Code de paquet de pièce: QFJ
Description de l'emballage : SANS PLOMB, PLASTIQUE, LCC-32
Nombre de broches: 32
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8542.32.00.51
Fabricant: STMicroelectronics
Classement de risque: 5.77
Temps d'accès-max: 90 ns
Interface utilisateur de commande: OUI
Interrogation des données: OUI
Endurance: 100000 cycles d'écriture / d'effacement
Code JESD-30: R-PQCC-J32
Code JESD-609: e3
Longueur : 13.97 mm
Densité de la mémoire: 4194304 bits
Mémoire IC Type : FLASH
Largeur de mémoire: 8
Niveau de sensibilité à l'humidité: 3
Nombre de fonctions: 1
Nombre de secteurs / taille: 8
Nombre de terminaux: 32
Nombre de mots: 524288 mots
Code du nombre de mots: 512000
Mode de fonctionnement: ASYNCHRONE
Température de fonctionnement-Max: 70 ° C
Organisation: 512KX8
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Code de colis: QCCJ
Code d'équivalence du package: LDCC32, .5X.6
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: CHIP CARRIER
Parallèle / Série: PARALLEL
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Sources d'alimentation: 3 / 3.3 V
Programmation Tension: 2.7 V
Statut de qualification: non qualifié
Hauteur assise-max: 3.56 mm
Taille du secteur : 64K
Courant de veille-Max: 0.0001 A
Sous-catégorie: Flash Memories
Courant d'alimentation-max: 0.02 mA
Approvisionnement Tension-Maxi (Vsup): 3.6 V
Approvisionnement Tension-Min (Vsup): 2.7 V
Approvisionnement Tension-Nom (Vsup) : 3.3 V
Montage en surface: OUI
Technologie:CMOS
Classe de température: COMMERCIAL
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: J BEND
Pas de borne: 1.27 mm
Position terminale: QUAD
Temps
PROM 512KX8 FLASH 2.7V, 90ns, PQCC32, SANS PLOMB, PLASTIQUE, LCC-32