STMicroelectronics ajoute une large gamme de nouveaux dispositifs à la famille STPOWER de transistors LDMOS, qui comprend trois séries de produits différentes optimisées pour les amplificateurs de puissance RF (PA) dans une variété d'applications commerciales et industrielles.
Dotés d'un rendement élevé et d'une faible résistance thermique et conçus pour gérer une puissance RF élevée, les dispositifs STPOWER LDMOS combinent une courte longueur de canal de conduction avec une panne élevée Tension. Ces caractéristiques permettent une solution rentable avec une faible consommation d'énergie et une fiabilité élevée.
Élargissant la gamme d'applications pouvant être adressées, les nouvelles séries STPOWER LDMOS IDCH et IDDE sont des transistors de puissance RF à effet de champ latéral à canal N à source commune 28V/32V. Les dispositifs IDCH fournissent une puissance de sortie de 8 W à 300 W et sont spécialement conçus pour les applications jusqu'à 4 GHz, y compris les infrastructures industrielles, scientifiques et médicales (ISM) à 2.45 GHz, les infrastructures sans fil, les communications par satellite et les équipements avioniques et radar. Les appareils LDMOS sont adaptés à tous les types de formats de modulation.
La série IDDE contient des appareils 10W-700W pour les applications commerciales, industrielles et scientifiques à large bande à des fréquences allant jusqu'à 1.5 GHz. Les appareils peuvent supporter une charge VSWR (rapport d'onde stationnaire de tension) de 10:1, à travers toutes les phases. Ils conviennent à tous les formats de modulation typiques et à la plupart des classes de fonctionnement RF PA, y compris la classe A, la classe AB et la classe C. Leur rendement élevé minimise l'énergie nécessaire pour fournir la puissance de sortie requise, ce qui entraîne des coûts d'exploitation et une chaleur réduits. dissipation simplifiant ainsi la gestion thermique et permettant des systèmes plus compacts.
ST a également introduit des appareils de la nouvelle série IDEV, dotés d'une source commune de 50 V, d'un mode d'amélioration du canal N, d'un effet de champ latéral, d'une puissance RF Transistor sans souci. Avec une puissance de sortie de 15 W à 2.2 kW, la gamme IDEV est conçue pour les applications ISM à des fréquences allant jusqu'à 250 MHz, notamment la commande de lasers CO2 haute puissance, de générateurs de plasma, de systèmes IRM, d'émetteurs radio FM de diffusion dans la gamme 88 MHz-108 MHz, et applications avioniques et radar jusqu'à 1.5 GHz. Ils conviennent à tous les formats de modulation typiques et au fonctionnement PA en classe A, classe AB et classe C.
La série IDEV robuste est capable de fournir une puissance de sortie en onde continue (CW) jusqu'à 2.2 kW, des fréquences HF (3-30 MHz) jusqu'à 250 MHz. Fournissant une puissance élevée à partir d'un seul boîtier en céramique, ces dispositifs réduisent le nombre total de transistors de puissance RF nécessaires dans les applications à haute puissance telles que les émetteurs de diffusion. Une efficacité énergétique supérieure à 82 % minimise la demande d'alimentation du système et garantit une fiabilité élevée avec une gestion thermique simple.
Au total, ST présente 30 nouveaux dispositifs STPOWER RF LDMOS à travers les trois séries, dans divers boîtiers aux normes de l'industrie. Les prix budgétaires varient de 15 $ à 100 $.
Pour plus d'informations, visitez le site www.st.com
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