Toshiba MG600Q1US51 En stock

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Courriel: sales@shunlongwei.com

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Description de l'IGBT MG600Q1US51

Applications de commutation haute puissance Applications de contrôle de moteur

. Impédance d'entrée élevée

. Vitesse élevée: tf = 0.3 µs (max)

@ Charge inductive

. Faible saturation Tension: VCE (sat) = 3.6 V (max)

. Mode d'amélioration

. Comprend un demi-pont complet dans un seul paquet.

. Les électrodes sont isolées du boîtier.

Tension collecteur-émetteur VCES 1200 V

Tension grille-émetteur VGES ± 20 V

Courant de collecteur DC IC A 600
Courant du collecteur 1ms ICP 1200 A
Courant direct DC IF 600 A
Courant direct 1ms IFM 1200 A

Puissance dissipée du collecteur (Tc = 25 ° C) PC 4100 W

Température de jonction Tj 150 ° C

Plage de température de stockage Tstg −40 ~ 125 ° C

Tension d'isolement VIsol 2500(CA 1 minute) V

Couple de serrage (borne / montage) - 3/3 N · m

Applications de commutation de puissance élevée Applications de contrôle de moteur 600A / 1200V

Shunlongwei inspecté chaque MG600Q1US51 avant expédition, tous les MG600Q1US51 avec 6 mois de garantie.