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Le MIG20J952H est une puissance Transistor module fabriqué par Toshiba. Voici une description du module ainsi que ses fonctionnalités et ses notes maximales :
Description:
Modèle : MIG20J952H
Type: Puissance Transistor Module
Courant nominal : 20 A
Tension Évaluation : 600 volts
Caractéristiques :
Module GTR intégré : Le module intègre un Gate Turn-Off Thyristor (GTR) dans sa conception.
Intégration de Circuits : Il combine l'onduleur, convertisseur, et circuits de puissance de freinage dans un seul boîtier.
Isolation des électrodes : les électrodes sont isolées du boîtier, assurant une isolation électrique appropriée.
Commutation haute puissance : Conçu pour les applications de commutation haute puissance.
Commande de moteur : Convient aux applications de commande de moteur.
Notes maximales et caractéristiques:
Onduleur Collecteur-Emetteur Tension (Vces) : 600 XNUMX V
Tension porte-émetteur de l'onduleur (VGES) : ± 20 V
Inverseur Collecteur Courant Continu (Tc=25°C): 20A
Inverseur Collecteur Courant Continu (Tc=80°C): 40A
Courant du collecteur de l'onduleur pulsé (1 ms, Tc=25°C) : 20 A
Courant du collecteur de l'onduleur pulsé (1 ms, Tc=80°C) : 40 A
Puissance dissipée du collecteur (Tc=25°C) : 80W
convertisseur Tension inverse de crête répétitive (VRRM) : 800 V
Tension inverse de crête répétitive de freinage (VRRM) : 600 V
Convertisseur de tension inverse de crête répétitive (VRRM): 1600V
Courant de sortie moyen du convertisseur (IO) à onde sinusoïdale 50 Hz/60 Hz : 15 A
Courant de surtension du convertisseur (non répétitif) (ITSM) à Tj=150 °C, 10 ms : 155 A
Isolement entre Borne et Cuivre Base (Viso AC, 1 minute) : 2500V
Température de jonction de fonctionnement (Tj) : +150°C
Température de stockage (Tstg) : -40 à +125°C
Couple de serrage des vis de montage : 3.0 N·m
Poids (typique): 750g