#MIG50J7CSB1W Toshiba MIG50J7CSB1W Nouveau transistor bipolaire à porte isolée 50A I (C) 600V V (BR) CES, images MIG50J7CSB1W, prix MIG50J7CSB1W, fournisseur # MIG50J7CSB1W
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Référence fabricant: MIG50J7CSB1W
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant IHS: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Fabricant: Mitsubishi Electric
Classement de risque: 5.73
Courant maximum du collecteur (IC): 50 A
Collecteur-émetteur Tension-Max: 600 V
Nombre d'éléments: 1
Température de fonctionnement-Max: 100 ° C
Sous-catégorie: Transistors BIP à porte isolée
VCEsat-Max: 2.2 V
Transistor bipolaire à grille isolée 50A I (C) 600V V (BR) CES
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant IHS: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Fabricant: Mitsubishi Electric
Classement de risque: 5.73
Courant maximum du collecteur (IC): 50 A
Collecteur-émetteur Tension-Max: 600 V
Nombre d'éléments: 1
Température de fonctionnement-Max: 100 ° C
Sous-catégorie: Transistors BIP à porte isolée
VCEsat-Max: 2.2 V
Transistor bipolaire à grille isolée 50A I (C) 600V V (BR) CES
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